黄色氧化钨研究文集
黄色氧化钨（即三氧化钨）研究文集列举三氧化钨的一些学术研究文章。三氧化钨因为其外观呈黄色而被称为黄色氧化钨，是一种n型半导体过渡金属氧化物，具有许多优异的性能，而受到广泛的研究。
六方相三氧化钨纳米线的制备及其光催化性能研究 以Na2WO4.2H2O和HCl为原料，K2C2O4和K2SO4分别作为结构导向剂，通过水热法在150℃下反应12 h,制备出六方相WO3纳米线。
三氧化钨纳米线的制备及其光催化性能 以Na2WO4•2H2O和HCl为原料，采用水热法合成了WO3，并用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、紫外漫反射(UV-Vis)、电子能量分散谱(EDS)和激光拉曼光谱(Raman)测试手段对样品进行表征。测试结果表明，Na2SO4作为添加剂时水热合成的产物皆为六方相三氧化钨纳米线，其粗细和长短略有差异，不同浓度的Na2SO4对产品晶型和形貌无影响，但影响其晶粒尺寸，其中0.125M Na2SO4所得六方相WO3纳米线的尺寸最小，平均直径约为5nm，长度约为1um，并具有最佳的光催化活性，可见光(≥420 nm)照射150min罗丹明B溶液后的降解率达96.01%。
三氧化钨陶瓷非线性伏安特性研究 采用传统陶瓷工艺制备了三氧化钨(WO3)陶瓷，研究了淬火工艺和气氛条件下热处理对WO3陶瓷非线性特性的影响。
三氧化钨陶瓷的压敏特性和机理 采用传统电子陶瓷烧结工艺，制备了无掺杂物的三氧化钨(WO3)陶瓷。分析了陶瓷样品经淬火和不同气氛下处理后的微结构和压敏电学特性。根据实验结果，提出了一种修正的晶界Schottky势垒模型，解释了三氧化钨陶瓷的压敏特性。
淬火工艺对纳米前驱体三氧化钨功能陶瓷伏安特性的影响 采用自制纳米三氧化钨粉末为原料，以淬火工艺制得纳米前驱体三氧化钨功能陶瓷。通过I-V特性测量、显微结构和相结构分析，研究了在不同的温度下淬火三氧化钨陶瓷的伏安特性。
使用三氧化钨薄膜之苯气体传感器 本文利用微机电制程制作成三氧化钨薄膜苯气体传感器，其结构包含三氧化钨感测层、白金指叉式电极。利用RF溅渡方式沉积出三氧化钨薄膜，再由退火处理来得到较多的孔洞结构来提升传感器的灵敏度，再将微型传感器置于气体检测箱在200℃、250℃及300℃不同操作温度下观察苯浓度与感测层电阻值间的变化关系。
亚微米三氧化钨超细粉末的制备 用氧化还原的方法，由ATP制得亚微米三氧化钨超细粉末，再用电子探针扫描。结果表明：经过两次氧化还原后，可以得到亚微米结构的三氧化钨粉末。此方法简单易行，具有很高的实用价值。
三氧化钨直接催化氧化四氢苯酐合成丁烷四羧酸 以三氧化钨为催化剂，无需有机溶剂、酸性配体及相转移剂，用30%H2O2为氧化剂氧化四氢苯酐(THPA)直接合成1，2，3，4-丁烷四羧酸(BTCA)即可达到较高的产率和纯度，反应结束后通过简单的过滤分离方法即可实现产物与催化剂分离目的。当(WO3)∶(环己烯)∶(H2O2)的摩尔比为1∶80∶352时，在回流温度下反应6h，己二酸分离产率为85%，产品纯度可达到98%。生产工艺简单，无污染，操作成本低。
原子吸收光谱法测定三氧化钨中微量钴镍铜 论述利用表面活性剂的增感作用原子吸收光谱法测定三氧化钨中微量的钴、镍、铜的新方法。研究了阴离子表面活性剂十二烷基硫酸钠对钴、镍、铜的增感效果和消除基体钨的干扰的作用,探讨其机理。该方法用于样品分析时得到满意的结果。
三氧化钨的矿气气敏传感器的研究 以钨丝为原料，用气相法制备纳米WO3气敏材料，以WO3为基材，制备了矿气气敏传感器。气敏性能测试表明，在2.5V加热电压下，该法制备出的传感器元件对5000ppm的矿气，灵敏度达2.6。分析后认为制备的材料大小分布呈连续性，晶粒间的体缺陷是增加元件对矿气灵敏度的主要原因。
硫氰酸盐光度法测定地质岩石矿物中的三氧化钨 试样经Na2O2熔融，在3～4mol/L的HCl介质中，以TiCl3为还原剂，将W 6还原为W 5，并与SCN-作用生成稳定的黄色络合物，借此进行光度测定，该络合物采用721分光光度计在430nm处测定，有最大吸收，此方法灵敏度高，重线性好，适用于地质样品中ω(WO3)/10-2=0.03～5.0的测定。
三氧化钨薄膜表面分子结构空间形态的AFM研究 详细介绍了一种高精度原子力显微镜AFM.IPC-208B的结构与性能以及三氧化钨溶胶-凝胶掺铂薄膜和三氧化钨磁控离子溅射掺铂薄膜的制备。利用AFM.IPC-208B研究了2种三氧化钨晶化薄膜表面的分子结构，并对其X射线衍射谱进行了分析。结果发现，磁控溅射三氧化钨掺铂复合薄膜在400℃下晶化，(106)面为其自然生长面，自然生长面上含有3个钨离子，7个氧离子(或2个钨离子，8个氧离子)，分别位于4个相连的四边形的顶点，晶格常数为0.35±0.05nm，1.35±0.05nm；三氧化钨溶胶-凝胶掺铂复合薄膜经460℃热处理后晶化，自然生长面为(002)面，在(002)面上有5个离子，4个氧离子位居四边形的顶点，钨离子处于四边形的中心，氧离子间距为0.55±0.05nm，晶格常数为0.75±0.05nm。同时，原子力显微镜图像所测得各晶格常数得到了X射线衍射谱的验证。
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