צהוב טונגסטן אוקסיד הפקת שיטה

להלן שיטת הייצור של תחמוצת טונגסטן צהובה:
1. שטיפה מתוך להתרכז טונגסטן ידי סודיום הידרוקסיד, המשוואה הכימית היא:
FeWO₄(s)+2NaOH(aq)=Na₂WO₄(aq)+Fe(OH)₂(s)
נתרן פתרון הידרוקסיד מדיח את להתרכז טונגסטן יכול להאיץ את מגיב על ידי ערבוב והוספת חמצון סוכן כגון חנק. זיהומים להתרכז טונגסטן כמו סיליקה, זרחן, ארסן, פלואור, מוליבדן ובדיל יכול להגיב עם הידרוקסיד נתרן לייצר arsenate סיליקט. פתרון Tungstate נתרן הגס מתקבל.

2. הפקת תרכובות טונגסטן מפתרון Tungstate נתרן גס יש מספר שיטות כמו שיטת טיהור כימית, מיצוי של שיטת ממס אורגנית, שיטת חילוף יונים. שיטת החלפת יון הוחל נרחב בייצור טונגסטן. האחד המאפיין והיעיל ביותר הוא שרף אניוני חזק-בסיס להתמודד פתרון Tungstate נתרן גס. 2/3 טונגסטן שלנו מייצר להשתמש בשיטה כדי לייצר APT.

שיטת החלפת יון להתמודדות פתרון Tungstate נתרן גס להכין Tungstate אמוניום טהור כוללת את השלבים הבאים:

(1)קליטת
לאחר דילול, יש אניון כמו WO₄^2-, MoO₄^2-, HAsO₄^2- קיימים בתמיסת Tungstate נתרן גסה. אניונים אלה נספגים כל הזמן שרף. עם התהליך הקולט, פתרון Tungstate נתרן זורם לתוך עמודת חליפין. אניונים חלק אשר נקלטו יתחלפו לשלב למטה של שרף על ידי יון Tungstate להתרכז גבוהה. לבסוף זה יהיה החליף משרף והפריד בקולחים.

(2)elution
במקרה של אובדן יון Tungstate מפתרון של כמה זיהומים גבוהים הכלול פתרון Tungstate נתרן, כשיש יון Tungstate עובר נוזלי פסולת, קליטה מפסיקה. זיהומים על שרף לא הוחלפו לחלוטין, זאת על ידי elution הטומאות יוסרו נוספת.
שימוש NaCl ו NaOH כסוכני משחררים, תן לו לעבור את שכבת השרף. ה Cl^- and OH^- יכול להחליף זיהומים על השרף.

(3) desorption
כאשר שרפו נספג עם יון Tungstate קשר עם פתרון כלור יון גבוה להתרכז, Cl^- exchanges WO₄^2- משרף ולתת לו נכנס פתרון, בעת ובעונה אחת, שרף reconverts לתוך Cl- שוב ויכולים לשמש שוב במחזור הבא.

3. הוספת אמוניום הידרוקסיד לתוך פתרון Tungstate נתרן מטוהרים, פתרון Tungstate אמוניום מתקבל. הפקת APT בשיטת גבישי אידוי. בתהליך זה, פתרון Tungstate אמוניום מחומם, בריחות אמוניה וערך pH מורידים למטה. Tungstate אמוניום יהיה ממיר כדי paratungstate אמוניום. עם הענייני של מים, APT מופרד החוצה.

4. מאת יבש יתכלה APT יכול לייצר trioxide טונגסטן. הטמפרטורה נשלטת תחת 500 ℃.