黄色氧化钨专利

水热法制备三氧化钨纳米片及其应用 CN 103030179 B 本发明属无机纳米材料与环境材料制备技术领域，涉及三氧化钨纳米片的制备方法，尤其涉及一种水热法制备三氧化钨纳米片及其应用。本发明的目的在于提供一种工艺简单，合成温度较低的氧化钨纳米片的制备方法。采用低温下液相法经水热反应制备出形貌相对均一的三氧化钨纳米片，是将稀硝酸溶液与钨酸钠溶液搅拌混合生成钨酸沉淀，然后经水热法制备而成。利用简单的水热合成反应制备的三氧化钨（WO3），形貌为片状纳米结构，具有化学稳定性好等优点。本发明工艺简单，重现性好，且所用原材料均为无机化合物，价廉易得，符合环境友好要求，由于该方法不需要高温、煅烧之类的前处理，合成温度较低，从而减少了能耗和反应成本，便于批量生产。

一种均匀掺钠仲钨酸铵和&或黄钨的制备方法 CN 104445416 A 本发明属于钨冶炼技术领域，具体涉及一种均匀掺钠仲钨酸铵和/或黄钨的制备方法。针对现有掺杂钠盐工艺，钠的分布不均匀，导致颗粒长大不均匀，影响后续产品以及目前含钠WO3生产方法的不足，本发明公开了一种均匀掺钠仲钨酸铵和/或黄钨的制备方法。本发明是在强碱性条件进行钠掺杂，不需要进行氨浓度调节，原料钨酸铵溶液杂质元素含量较低，掺杂用的原料，没有引入其他对后续工艺有害的杂质，不需用其他物质洗涤，到结晶终点时直接抽干，不需水洗，产品掺钠均匀。本发明的结晶母液量少，容易回收利用；掺杂工序少、操作简单；适用掺钠工艺的含钠化合物种类多；本发明制取的掺钠APT及黄钨粉末的Fsss粒度大、钠元素分布均匀、晶形完整。

一种纳米三氧化钨薄膜的制备方法 CN 101734866 A 本发明涉及一种纳米三氧化钨薄膜的制备方法，特别是涉及一种用于光催化或光电化学池的半导体光电极的纳米三氧化钨薄膜的制备方法。合成方法包括：将水溶性多聚钨酸盐溶解于水中，于上述溶液中加入分散剂及改性剂制得前驱液；所制的前驱液能够保存在3个月以上；采用浸渍提拉法或旋涂法在基底表面进行镀膜；接着在空气中高温煅烧将有机成分分解，即可得到纳米三氧化钨薄膜。本发明的方法具有工艺过程简单、操作方便等特点，制备的纳米三氧化钨薄膜具有纯度高、与基底结合牢固、不受尺寸限制及良好的光电性能等优点。

一种纳米三氧化钨粉的制备方法 CN 1286732 C 本发明属于三氧化钨粉末制备技术领域，特别是提供了一种纳米三氧化钨(WO3)粉的制备方法，实现了纳米三氧化钨的工业化生产。

一种氧化钨半导体电池及其制备方法 CN 102148267 B 一种氧化钨半导体电池及其制备方法，以氧化钨为原料，加入导电剂、活化剂、添加剂和有机聚合物成膜剂制成氧化钨半导体电池浆料，并以不同功函数的两种金属箔为正负电极，正负电极粘贴在塑料底片的同一水平面上，然后将氧化钨半导体电池浆料注入电极表面，经晾干、封装。本发明的氧化钨半导体电池具有：（1）半导体化学效应。即在不同功函数金属两个电极间产生电子输运；（2）光电效应。电池在太阳光照下，电池的电流有比较明显的增加；（3）热电效应。电池在一定的温度范围内（5-100℃）电流随温度升高而增大。

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